Dinâmica de superfície e fenômenos de memória em filmes finos de óxido crescidos por deposição de camada atômica assistida por plasma

• Processo: 24/17787-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2025
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2026
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Victor Lopez Richard
• Beneficiário: Ana Luiza Costa Silva
• Supervisor: Fabian Hartmann
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Julius-Maximilians-Universität Würzburg (JMU), Alemanha
• Vinculado à bolsa: 23/17490-2 - Influência de efeitos externos nas propriedades de memória resistiva de filmes de óxidos metálicos semicondutores, BP.PD
• Assunto(s): Filmes finos Óxidos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Ald | Filmes finos | Memória resistiva | Óxidos | Física

Resumo

Com o avanço da inteligência artificial e da computação inspirada no cérebro, a ciência dos materiais torna-se fundamental para promover inovações nas tecnologias emergentes. As arquiteturas tradicionais de computação baseadas no modelo von Neumann, apresentam grandes ineficiências energéticas devido à alta demanda de transferência de dados entre as unidades de processamento e memória, que são fisicamente separadas. Dispositivos memristivo oferecem uma alternativa promissora, com aplicações potenciais em sistemas neuromórficos, memória não volátil e computação em reservatório. No entanto, desafios como a variabilidade nos parâmetros dos dispositivos e a limitada durabilidade nos ciclos continuam a impedir seu pleno potencial. Este projeto busca superar essas limitações por meio de uma análise detalhada dos fenômenos de transição de memória, com base em mecanismos fundamentais de transporte no estado sólido. Focando em filmes finos de ZnO e HfO2, depositados por deposição de camadas atômicas assistida por plasma (PE-ALD) sob várias condições, nosso estudo examinará os efeitos de memória utilizando litografia por feixe de elétrons para explorar diversas geometrias de amostras. Combinando investigação experimental com simulações teóricas, esta pesquisa visa revelar os mecanismos que impulsionam o comportamento da memória, correlacionando parâmetros estruturais com escalas de tempo de operação. Os resultados informarão estratégias para otimizar a eficiência energética, melhorar a estabilidade operacional e avaliar os efeitos da miniaturização, contribuindo para a escalabilidade, confiabilidade e desempenho das futuras tecnologias de memória e computação.