| Processo: | 24/21615-8 |
| Modalidade de apoio: | Bolsa no País - Programa QuTIa em Tecnologias Quânticas - Jovens Pesquisadores |
| Data de Início da vigência: | 01 de abril de 2025 |
| Data de Término da vigência: | 31 de março de 2027 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Saimon Filipe Covre da Silva |
| Beneficiário: | Saimon Filipe Covre da Silva |
| Instituição Sede: | Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 24/08527-2 - Fontes de fóton único de estado sólido para frequências de telecomunicações, AP.QUTIA.JP |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Entangled photon pairs | Local Droplet Etching | molecular beam epitaxy | Semiconductor Quantum Dots | Single | Semiconductor Physics |
Resumo Corrosão Local por Goticúlas (LDE) foi estabelecida como um método poderoso para produzir fótons únicos de semicondutores de estado sólido e pares de fótons emaranhados inerentemente compatíveis com a tecnologia de semicondutores estabelecida. Nesta proposta pretendemos desenvolver uma fonte única de fótons emitindo na banda C de telecomunicações, estendendo a abordagem de fabricação de LDE do sistema (In)GaAs/AlGaAs para o sistema de material III-Sb. Isto permitiria a integração da comunicação quântica já demonstrada para a faixa visível a ser utilizada na rede de fibra óptica existente, abrindo caminho para a fácil utilização de tecnologias quânticas no dia a dia. (AU) | |
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