Desenvolvimento de Resistores Integrados para aplicações em Ondas Milimétricas

• Processo: 25/22649-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2026
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2026
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos
• Pesquisador responsável: Gustavo Pamplona Rehder
• Beneficiário: Otavio Müller Ferreira
• Supervisor: Philippe Ferrari
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Laboratoire Techniques De L'Informatique Et De La Microélectronique Pour L'Architecture Des Systèmes, França
• Vinculado à bolsa: 24/07446-9 - Desenvolvimento de Resistores Integrados para aplicações em Ondas Milimétricas, BP.IC
• Assunto(s): Ondas milimétricas Resistência Telecomunicações
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Cargas | Circuitos passivos | interposer | ondas milimétricas | Resistência | 6G | Telecomunicações

Resumo

Em ondas milimétricas (mmW), várias bandas não licenciadas estão sendo utilizadas para links de comunicação ponto a ponto com largura de banda muito ampla. Esses links de multi-gigabits serão cruciais para a infraestrutura de aplicações emergentes de RF, mmW e THz voltadas para o mercado de telecomunicações de alta velocidade (futuras gerações de comunicação móvel, 6G e além), radares automotivos de 77 GHz/120 GHz, sensores de imagem e radar de alta sensibilidade. Nesse contexto, este projeto de iniciação científica busca o desenvolvimento de resistências integradas para ondas milimétricas em um interposer. O interposer em uso é baseado no substrato MnM (membrana de nanofios metálicos) de baixo custo, com efeito de onda lenta inerente. Essa tecnologia é baseada em membranas dielétricas nanoporosas preenchidas com nanofios metálicos, obtidas por meio de processos de fabricação simples, mesmo em frequências tão altas quanto ou superiores a 100 GHz, onde as dimensões críticas dos circuitos são limitadas, mesmo nas tecnologias comerciais mais avançadas (como CMOS), tornando inviável seu projeto. Este trabalho de iniciação científica tem como objetivo principal o desenvolvimento de resistores de até 200 ¿ integrados no interposer MnM. Até agora, nesses poucos meses de projeto, foi possível: 1) desenvolver um material com resistividade de folha de 22 Ohms/quadrado, adequado para o desenvolvimento de resistências; 2) desenvolver um processo de fabricação adequado para obtenção de resistores integrados; e 3) caracterização de resistores até 70 GHz. Com o estágio no exterior, solicitado aqui, pretendemos caracterizar resistores até 220 GHz, modelar o resistor considerando os possíveis elementos parasitários e propor uma otimização da topologia para reduzir os componentes parasitários que prejudicam o comportamento do resistor. O estágio no exterior será realizado no Laboratório TIMA, em Grenoble, França, sob a supervisão do prof. Philippe Ferrari.