Buscando emaranhamento em chips fotônicos

• Processo: 26/14356-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2026
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2027
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Marcelo Martinelli
• Beneficiário: Lorenzo Ferreira Cicoti
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 22/09436-5 - Informação em ótica quântica, AP.TEM
• Assunto(s): Emaranhamento Fônons Nitreto de silício Osciladores paramétricos ópticos Óptica quântica Informação quântica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Emaranhamento | Fônons | microcavidades | nitreto de silício | Oscilador Paramétrico Ótico | Ótica Quântica | Informação Quântica

Resumo

Nosso estudo em osciladores paramétricos óticos baseados em não linearidades de terceira ordem em microcavidades de nitreto de silício mostrou que a correlação quântica dos feixes gerados neste sistema é afetada pela potência de bombeio. Verificamos ainda que a fase do campo apresenta um excesso de ruído da ordem de 40 vezes o ruído o vácuo.Estes resultados são compatíveis com o acoplamento entre os feixes intensos gerados e o ruído de fónons, intrínsecos ao material, semelhante ao já observado em cristais não lineares com conversão paramétrica de segunda ordem.O projeto em questão envolve o desenvolvimento de um sistema de resfriamento e manipulação destes osciladores em condições de vácuo, permitindo a redução do ruído visando seu eventual uso na geração de campos emaranhados para aplicações em informação quântica, aproveitando da possibilidade de integração que estes sistemas fotônicos trazem. (AU)