Avaliação da temperatura do substrato de silício, utilizando uma junção P-N integrada

• Processo: 96/08070-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 1996
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 1997
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: Luiz Carlos Molina Torres
• Beneficiário: Leandro Paula de Carvalho
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Filmes finos Diodos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Diodo Semicondutor | Eletromigracao | Filmes Finos De Metal | Juncao P-N

Resumo

Este projeto pretende avaliar a possibilidade de medir a temperatura do substrato de silício, através do monitoramento da queda de tensão em uma junção P-N nele integrada. Para isto construiremos uma série de diodos em substratos de silício e levantaremos a curva de calibração V x T. Isto permitirá no futuro monitorar a temperatura de uma tira de metal sobre um substrato de silício previamente oxidado. Pretende-se também neste trabalho, projetar um conjunto de fotomáscara com estruturas de teste para caracterizar o mecanismo de eletromigração em filmes finos de metal, com junção P-N integrada. (AU)