Dopagem e desordem em grafeno: simulando um semicondutor

• Processo: 10/07017-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Vigência (Início): 01 de junho de 2010
• Vigência (Término): 31 de dezembro de 2010
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adalberto Fazzio
• Beneficiário: Leonardo Batoni Abdalla
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Propriedades eletrônicas Transporte eletrônico Nanofitas Grafenos Materiais nanoestruturados Semicondutores Teoria do funcional da densidade Simulação por computador
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dft | Grafeno | Nanofitas de grafeno | Propriedades Eletrônicas | transporte eletrônico | Nanoestruturas

Resumo

Nossa proposta de trabalho é utilizar técnicas de simulação computacional para entender as propriedades eletrônicas e de transporte eletrônico de grafeno dopado. Inicialmente, o aluno irá estudar os métodos teóricos, ou seja, as principais ferramentas para compreensão dos materiais. Seguindo o roteiro: (I) Estudo profundo das propriedades eletrônicas do Grafeno usando métodos semiempíricos (Tight-Binding); (II) Estudo da Teoria do Funcional da Densidade (DFT) - Cálculos Ab Initio; (III) Estudo de trabalhos experimentais recentes relacionados à dopagem em grafeno; (IV) Transporte balístico em nanoestruturas; (V) Estudo de fenômeno de desordem em sistemas de baixa dimensionalidade. (AU)