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Dopagem e desordem em grafeno: simulando um semicondutor

Processo: 10/07017-8
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de junho de 2010
Vigência (Término): 31 de dezembro de 2010
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Adalberto Fazzio
Beneficiário:Leonardo Batoni Abdalla
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Propriedades eletrônicas   Transporte eletrônico   Nanofitas   Grafenos   Materiais nanoestruturados   Semicondutores   Teoria do funcional da densidade   Simulação por computador

Resumo

Nossa proposta de trabalho é utilizar técnicas de simulação computacional para entender as propriedades eletrônicas e de transporte eletrônico de grafeno dopado. Inicialmente, o aluno irá estudar os métodos teóricos, ou seja, as principais ferramentas para compreensão dos materiais. Seguindo o roteiro: (I) Estudo profundo das propriedades eletrônicas do Grafeno usando métodos semiempíricos (Tight-Binding); (II) Estudo da Teoria do Funcional da Densidade (DFT) - Cálculos Ab Initio; (III) Estudo de trabalhos experimentais recentes relacionados à dopagem em grafeno; (IV) Transporte balístico em nanoestruturas; (V) Estudo de fenômeno de desordem em sistemas de baixa dimensionalidade. (AU)