Desenvolvimento de elementos de integração fotônica compatíveis com silício

• Processo: 10/06724-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2010
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2011
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Newton Cesario Frateschi
• Beneficiário: Débora Princepe
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 08/57857-2 - Fotônica para comunicações ópticas, AP.TEM
• Assunto(s): Nitreto de silício Óptica eletrônica Guias de onda
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: fotônica planar | guias de onda | micro-cavidades | Nitreto de silício | Optoeletrônica

Resumo

Neste trabalho desenvolveremos elementos de fotônica planar em tecnologia compatível com silício. Particularmente, nossas estruturas de condução e confinamento de luz serão compostas de nitreto de silício envolvido em dióxido de silício sobre substratos de silício. Os componentes básicos a serem buscados nesse projeto serão guias de onda, acopladores e separadores para operarem com sinais ópticos em 1550 nm, além de micro-cavidades ressonantes de alto fator de qualidade.