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Desenvolvimento de elementos de integração fotônica compatíveis com silício

Processo: 10/06724-2
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de julho de 2010
Vigência (Término): 30 de junho de 2011
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Newton Cesario Frateschi
Beneficiário:Débora Princepe
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:08/57857-2 - Fotônica para comunicações ópticas, AP.TEM
Assunto(s):Nitreto de silício   Óptica eletrônica   Guias de onda

Resumo

Neste trabalho desenvolveremos elementos de fotônica planar em tecnologia compatível com silício. Particularmente, nossas estruturas de condução e confinamento de luz serão compostas de nitreto de silício envolvido em dióxido de silício sobre substratos de silício. Os componentes básicos a serem buscados nesse projeto serão guias de onda, acopladores e separadores para operarem com sinais ópticos em 1550 nm, além de micro-cavidades ressonantes de alto fator de qualidade.