Estudo da dinâmica de carregamento e medidas da energia de interação entre elétrons em estados distintos em pontos quânticos auto organizados de InAs

• Processo: 06/07052-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2007
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2007
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
• Pesquisador responsável: Gilberto Medeiros Ribeiro
• Beneficiário: Marília Wellichan Mancini
• Instituição Sede: Associação Brasileira de Tecnologia de Luz Síncrotron (ABTLuS). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Estados eletrônicos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Energias De Interacao | Estados Eletronicos | Pontos quânticos auto-organizados

Resumo

O processo de carregamento de portadores de cargas em pontos quânticos e a estrutura os níveis eletrônicos e de buracos podem ser investigados através de espectroscopia de capacitância. Até o presente momento não possível mapear-se as interações eletrostáticas binárias entre elétrons em camadas distintas aprisionados no interior de um ponto quântico, uma vez que com a técnica de medida convencional, em que a tensão que produz o carregamento é mantida constante (método quase-estático), a interação resultante medida consiste na soma das várias interações entre os vários elétrons em vários estados dentro do ponto quântico. Neste trabalho, pretendemos utilizar uma técnica baseada em espectroscopia de capacitância, porém utilizando campos elétricos pulsados, de maneira a avaliar a energia de interação entre elétrons em níveis eletrônicos aprisionados em pontos quânticos auto-organizados de InAs/GaAs. A energia de interação é basicamente o bloqueio Coulombiano (Coulomb blockade) e a interação de exchange, que se dá entre estados distintos. Podermos também avaliar a energia de interação spin-órbita entre elétrons em camadas s e p, por exemplo. Também pretendemos medir os tempos característicos de carregamento de descarregamento característico dos estados eletrônicos populados nos experimentos.As amostras utilizadas nos experimentos serão crescidas pela técnica de MBE.