Estudo do efeito da pressao em atomos de xenonio implantado em carbono amorfo.

• Processo: 01/04139-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2001
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2002
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Francisco das Chagas Marques
• Beneficiário: Myriano Henriques de Oliveira Junior
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Dopagem eletrônica Condutividade
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Condutividade | Dopagem | Silicio Amorfo

Resumo

Neste projeto de iniciação cientifica, ò aluno fará um estudo de dopagem tipo-p no silício amorfo hidrogenado, a-Si:H, utilizando alumínio como dopante. O estudo do efeito de dopagem será observado principalmente através de medidas de condutividade à temperatura ambiente e em função da temperatura, para a determinação da energia de ativação. Para as análises dos resultados, serão também necessários a determinação da banda proibida através de espectroscopia de transmissão no visível e infravermelho próximo; medida da concentração de hidrogênio utilizando transmissão no infravermelho, FTIR; e medida da energia de Urbach obtido por espectroscopia de deflexão foto-térmica, PDS. Os resultados serão confrontados com os modelos existentes para a dopagem do a-Si:H com boro. (AU)