Preparacao de laminas de silicio para crescimento epitaxial.

• Processo: 99/04257-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1999
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2001
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Química
• Pesquisador responsável: Sonia Guimarães
• Beneficiário: Sabrina de Castro Ferreira Ferraz da Silva
• Instituição Sede: Instituto de Aeronáutica e Espaço (IAE). Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial (DCTA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Crescimento epitaxial
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento Epitaxial | Detectores Infravermelho

Resumo

Desenvolver processos de limpeza de lâminas de silício, que serão usadas como substratos para crescimento epitaxial de camadas de telureto de chumbo (PbTe). Caracterizar a qualidade cristalina das camadas crescidas, através de técnicas de raio-x (ex. Laue, difratometria, "rocking curve"). E também caracterizar elétrica e opticamente essas camadas, através de medidas de efeito Hall, curvas IxV, resposta espectral e detetividade. (AU)