Estados interfaciais em capacitores MIS orgânicos

• Processo: 08/00945-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2008
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2009
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Neri Alves
• Beneficiário: Fernando Pereira Sabino
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Presidente Prudente. Presidente Prudente , SP, Brasil
• Assunto(s): Eletrônica orgânica Capacitores Transistores Transistores de efeito de campo Polímeros
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Capacitores MIS | Cargas espaciais | Estados Interfaciais | polímeros semicondutores | Transistores de Efeito de Campo - FET | transistores orgânicos | Dispositivos eletrônicos orgânicos

Resumo

O uso de polímeros orgânicos para produzir dispositivos eletrônicos já é uma realidade comercial. A eletrônica orgânica é atrativa especialmente pela possibilidade do desenvolvimento da chamada eletrônica impressa, onde o circuito poderá ser depositado diretamente no substrato a partir dos polímeros em solução. O transistor orgânico (OFET) é assim de grande importância para viabilizar o desenvolvimento da chamada eletrônica do plástico. Já fora demonstrado a viabilidade do uso de OFETs em: jornais eletrônicos, etiquetas (smart tags); display flexível, papel eletrônico; sensores; dispositivos de memórias e cartões identificadores por radiofreqüência (RFID). No entanto, as aplicações comerciais dos transistores poliméricos dependem fundamentalmente de sua estabilidade, e um dos aspectos que causa instabilidade nos dispositivos metal-isolante-semicondutor (MIS) é a presença de estados interfaciais, produzindo um deslocamento na voltagem de chaveamento. O objetivo do presente projeto é estudar o efeito de estados interfaciais em capacitores MIS, simulando as curvas capacitância e perda dielétrica em função da freqüência e polarização do gate. (AU)