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Cálculo de espectros Raman em presença de campos magnéticos em estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade

Processo: 99/06203-1
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1999
Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2003
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Gilmar Eugenio Marques
Beneficiário:Augusto Miguel Alcalde Milla
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:00/07691-9 - Sistemas eletrônicos confinados em nanoestruturas, AP.TEM
Assunto(s):Espectroscopia Raman   Elétrons   Fônons   Materiais nanoestruturados   Semicondutores   Propriedades ópticas
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Espectros Raman | Interacao Eletron Fonon | Nanoestruturas Semicondutoras | Propriedades Opticas

Resumo

Nosso objetivo central é desenvolver uma teoria microscópica para o espalhamento Raman por fônons longitudinais ópticos e acústicos em pontos quânticos semicondutores e em presença de campos magnéticos externos. Tendo em consideração o estado da literatura disponível neste tema, acreditamos que este trabalho tem uma componente importante de originalidade e pode ser de considerável interesse para a comunidade de semicondutores. (AU)

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