Estudo dos estados intermediarios localizados entre as bandas de conducao e valencia, e a influencia desses na emissao fotoluminescente do catio3:sm.

• Processo: 07/50425-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2007
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2009
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: José Arana Varela
• Beneficiário: Alberthmeiry Teixeira de Figueiredo
• Instituição Sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/14324-0 - Multidisciplinary Center for Development of Ceramic Materials, AP.CEPID
• Assunto(s): Fotoluminescência Ressonância paramagnética eletrônica Espectroscopia por absorção de raios X
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Catio3 | Epr | Estados Intermediarios | Fotoluminescencia | Ordem-Desordem | Xanes

Resumo

O estudo da propriedade fotoluminescente (FL) em materiais sempre despertou o interesse da comunidade científica. Muitos modelos na literatura buscam explicar a emissão FL. No entanto, todos esses modelos interpretam o que ocorre após o processo de excitação. De maneira inovadora, o nosso grupo de pesquisa (LIEC) propõe um modelo baseado nos modelos tradicionais existentes na literatura, no qual o principal evento contribuinte para a emissão FL ocorre antes da excitação. Nesse modelo, o Wide Band Model, os defeitos locais de curto e médio alcance geram estados intermediários localizados dentro do gap. A diminuição do gap devido aos estados intermediários, juntamente com a descontinuidade local de cargas gerada pela desordem local leva ao armadilhamento de elétrons e buracos gerando a emissão de FL. Alguns pontos do modelo ainda não foram evidenciados e necessitam de mais estudos para confirmação. É o caso do armadilhamento de elétrons pelos estados intermediários dentro do gap. Nesse projeto propomos estudar os estados intermediários dentro do gap. Será estudada a contribuição do modificador de rede e do formador de rede para a formação dos estados intermediários dentro do gap. Mais que isso, propomos estudar o armadilhamento de elétrons pelos estados intermediários dentro do gap e a formação de vacâncias de oxigênio mono-ionizadas, as quais armadilharam um elétron. (AU)