Estudo de propriedades elétricas em super-redes semicondutoras

• Processo: 03/12680-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2004
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2005
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adenilson José Chiquito
• Beneficiário: Juliana Lopes
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Capacitância elétrica Materiais nanoestruturados Semicondutores Super-redes
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Capacitancia | Desordem | Estados Eletronicos | Localizacao | Nanoestruturas Semicondutoras | Super-Redes

Resumo

Este projeto tem por finalidade manter a continuidade do estudo de dispositivos semicondutores baseados em nanoestruturas semicondutoras do grupo III-V, realizados no Laboratório de Semicondutores/DF-UFSCar. Neste trabalho visamos a caracterização de super-redes do tipo GaAs/AlGaAs intencionalmente desordenadas, ou seja, estruturas nas quais uma desordem estrutural foi induzida. As atividades propostas visam o aprendizado de técnicas básicas para o estudo das propriedades de semicondutores, das técnicas de construção dos dispositivos que serão estudados, juntamente com a análise dos dados experimentais obtidos através de experimentos que envolvem a determinação das características de capacitância-voltagem (C-V), corrente-voltagem (I-V) como função da temperatura. Ao mesmo tempo, os resultados obtidos serão usados como base para a realização de outros experimentos no laboratório, de nível mais avançado e conduzidos em conjunto com o orientador, permitindo a integração da aluna ao processo de pesquisa. (AU)