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Estudo de propriedades elétricas de nanoestruturas semicondutoras usando simulação computacional

Processo: 03/08309-9
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de outubro de 2003
Vigência (Término): 30 de setembro de 2004
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Adenilson José Chiquito
Beneficiário:Rodrigo Panosso Macedo
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Estados eletrônicos   Simulação por computador

Resumo

Neste trabalho visamos a caracterização de estruturas semicondutoras (amostras de GaAs homogeneamente dopadas, super-redes do tipo GaAs/AtGaAs, pontos quânticos de InAs/GaAs) através do modelamento numérico de algumas das propriedades eletrônicas apresentadas por estas estruturas. A finalidade desta atividade é possibilitar a obtenção de resultados mais completos e gerais, associando aos dados experimentais o modelamento teórico. As atividades propostas visam o aprendizado de técnicas numéricas básicas para a solução da equação de Poisson para algumas distribuições de cargas em amostras de interesse. Usando a equação de Poisson, pretende-se a descrição de propriedades macroscópicas de sistemas metal-semicondutor como a capacitância e através dela, a determinação de algumas das características esperadas para o sistema estudado. (AU)