Estudo de propriedades eletricas de nanoestruturas semicondutoras usando simulacao computacional.

• Processo: 03/08309-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2003
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adenilson José Chiquito
• Beneficiário: Rodrigo Panosso Macedo
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Estados eletrônicos Simulação por computador
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Capacitancia | Estados Eletronicos | Nanoestruturas Semicondutores | Simulacao Computacional

Resumo

Neste trabalho visamos a caracterização de estruturas semicondutoras (amostras de GaAs homogeneamente dopadas, super-redes do tipo GaAs/AtGaAs, pontos quânticos de InAs/GaAs) através do modelamento numérico de algumas das propriedades eletrônicas apresentadas por estas estruturas. A finalidade desta atividade é possibilitar a obtenção de resultados mais completos e gerais, associando aos dados experimentais o modelamento teórico. As atividades propostas visam o aprendizado de técnicas numéricas básicas para a solução da equação de Poisson para algumas distribuições de cargas em amostras de interesse. Usando a equação de Poisson, pretende-se a descrição de propriedades macroscópicas de sistemas metal-semicondutor como a capacitância e através dela, a determinação de algumas das características esperadas para o sistema estudado. (AU)