- Auxílios pontuais (curta duração)
| Processo: | 03/08309-9 |
| Linha de fomento: | Bolsas no Brasil - Iniciação Científica |
| Vigência (Início): | 01 de outubro de 2003 |
| Vigência (Término): | 30 de setembro de 2004 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Adenilson José Chiquito |
| Beneficiário: | Rodrigo Panosso Macedo |
| Instituição-sede: | Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Estados eletrônicos Simulação por computador |
Resumo Neste trabalho visamos a caracterização de estruturas semicondutoras (amostras de GaAs homogeneamente dopadas, super-redes do tipo GaAs/AtGaAs, pontos quânticos de InAs/GaAs) através do modelamento numérico de algumas das propriedades eletrônicas apresentadas por estas estruturas. A finalidade desta atividade é possibilitar a obtenção de resultados mais completos e gerais, associando aos dados experimentais o modelamento teórico. As atividades propostas visam o aprendizado de técnicas numéricas básicas para a solução da equação de Poisson para algumas distribuições de cargas em amostras de interesse. Usando a equação de Poisson, pretende-se a descrição de propriedades macroscópicas de sistemas metal-semicondutor como a capacitância e através dela, a determinação de algumas das características esperadas para o sistema estudado. (AU) | |