Desenvolvimento de um sistema de plasma de alta densidade do tipo icp para micro e nanofabricacao.

• Processo: 04/08613-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2005
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 2005
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Jacobus Willibrordus Swart
• Beneficiário: Marcelo de Jesus Rangel Monteiro
• Instituição Sede: Centro de Componentes Semicondutores (CCS). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Nanotubos de carbono Nitreto de silício Silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Icp | Nanotubos De Carbono | Nitreto De Silicio | Rie | Silicio | Sonda De Langmuir

Resumo

Neste projeto, são pretendidas a mudança e posterior utilização eficiente de um sistema LAM RESEARCH doado pela Motorola ao Centro de Componentes Semicondutores (CCS), UNICAMP, e que era utilizado para a corrosão por plasma de dispositivos semicondutores. Para que o processo de corrosão por plasma se torne mais eficiente, será necessária a mudança do modo de geração do plasma no reator do modo RIE ("Reactive lon Eching") com acoplamento capacitivo (baixa densidade de plasma), e deverá ser mudado para o modo ICP ("Inductively Coupled Plasma"), i.e., acoplamento indutivo (alta densidade de plasma). Atualmente, o CCS possui 2 reatores operando em modo RIE e nenhum em modo ICP. Pretende-se instalar o diagnóstico de sonda de Langmuir no reator de modo a permitir medidas, com resolução espacial, do potencial do plasma, da densidade e temperatura eletrônicas, dentre outras, importantes para a determinação dos perfis de uniformidade da corrosão ao longo da amostra ("wafer"). Uma vez que o sistema estiver funcionando corretamente no modo ICP, será dado início a parte final do trabalho que é o estudo e a caracterização dos processos mais eficazes para a corrosão de amostras de Silício monocristalino e Nitreto de Silício, e o desenvolvimento da tecnologia do crescimento de nanotubos de carbono (NTC) pela técnica PECVD ("Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition''). (AU)