Filmes finos e ultra-finos de oxido, de oxinitreto de silicio e de nitreto de silicio obtidos por deposicao e oxidacao/nitretacao em sistema de plasma remoto e suas aplicacoes como isolantes e camadas...

• Processo: 00/00319-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2000
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2001
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Jacobus Willibrordus Swart
• Beneficiário: Anna Paula da Silva Sotero
• Instituição Sede: Centro de Componentes Semicondutores (CCS). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Óxido de silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dieletrico De Porta | Filmes Ultra-Finos | Oxidacao Em Plasma | Oxido De Silicio | Oxinitreto De Silicio | Plasma Remoto

Resumo

O presente projeto trata do desenvolvimento de processos de deposição de filmes finos e ultra-finos de óxido, oxinitreto e nitreto de silício em substratos semicondutores, com tecnologia RPCVD, RPO e RPN e sua caracterização, visando a otimização do processo e sua repetibilidade. Pretende-se desenvolver todo o potencial do sistema RP para o crescimento por oxidação (RPO), nitretação (RPN) e deposição (RPCVD) de filmes isolantes em semicondutores e estabelecer um processo reprodutível de obtenção de filmes de qualidade para sua aplicação como dielétricos de porta em dispositivos MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), como passivadores de superfície em MESFET ("Metal Semiconductor Field-Effect Transistor") e HBT ("Heterojunction Bipolar Transistor") em GaAs, como máscara para etching de Si e para oxidação local (LOCOS) em CMOS e como barreira nos processos de dopagem. Para a caracterização estrutural e elétrica desses filmes utilizar-se-á as técnicas de elipsometria, de perfilometria, de espectrometria de absorção (FTIR) de espectrometria de massa de íon secundário (SIMS), de espectrometria de fotoelétron de raio-x (XPS), de microscopia eletrônica de transmissão e varredura (TEM e SEM), de microscopia de força atômica (AFM), medida de capacitância versus tensão (C-V) e medidas de corrente versus tensão. (AU)