Fabricacao e caracterizacao eletrica de capacitores mos.

• Processo: 05/54766-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2005
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2006
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Victor Sonnenberg
• Beneficiário: Rodrigo de Jesus Marques
• Instituição Sede: Faculdade de Tecnologia São Paulo (FATEC São Paulo). Centro Paula Souza (CEETEPS). Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Processo de fabricação
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Capacitor Mos | Caracterzacao Eletrica | Curva Cv | Curva Iv | Processo De Fabricacao

Resumo

Neste trabalho serão fabricados capacitores MOS com porta de silício policristalino em várias condições de oxidação e limpeza química. Serão realizadas medidas da curva capacitância-tensão (C-V) e corrente-tensão (I-V) destes capacitores para caracterizar a qualidade dos dispositivos e, principalmente, comparar as diferentes condições de processamento (oxidação/limpeza) para a otimização do mesmo. (AU)