Caracterizacao eletrica de tecnologia nmos.

• Processo: 07/01475-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2007
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2008
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: Vinicius Heltai Pacheco
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Circuitos integrados Microeletrônica Técnicas de caracterização elétrica Transistores MOSFET
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterização Elétrica | circuito integrado | Mosfet | Tecnologia NMOS | Microeletronica

Resumo

Neste trabalho deseja-se estudar teórica e experimentalmente as características de dispositivos construídos com a tecnologia nMOS fabricados na Universidade em Toulouse – França (Atelier Interuniversitaire de Micro-Électronique - AIME). Através dos resultados obtidos com a caracterização elétrica dos dispositivos integrados básicos (transistores, capacitores e diodos) deseja-se correlacionar com as etapas de fabricação dos mesmos.Para a extração dos principais parâmetros elétricos a serem estudados serão utilizados o Analisador de Parâmetros Agilent 4156C e o Medidor LCR HP 4280 que permitem a extração de curvas de corrente versus tensão (IxV) e capacitância versus tensão (CxV). Estes resultados serão então utilizados para o estudo e modelagem das principais características dos componentes fabricados.