Nanofios semicondutores para aplicações em sensoriamento

• Processo: 06/07156-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2007
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2010
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Mônica Alonso Cotta
• Beneficiário: Thalita Chiaramonte
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Microscopia de força atômica Propriedades de transporte Propriedades ópticas Microscopia eletrônica Nanopartículas metálicas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: crescimento de nanofios semicondutores | microscopia de força atomica | Microscopia Eletrônica | nanopartículas metálicas | propriedades de transporte | Propriedades Ópticas | semicondutores, nanociências

Resumo

Neste trabalho, pretende-se obter o crescimento de nanofios auto-sustentados catalisados por nanopartículas metálicas pelo método Vapor-Líquido-Sólido e as respectivas caracterizações ópticas, estruturais e elétricas. Com os nanofios sustentados das quatro ligas binárias do grupo III-V (InP, InAs, GaAs e GaP) já fabricados, analisaremos sua dependência com o tamanho e composição das partículas metálicas, e o tipo de substrato utilizado. Estruturas mais complexas, tipo core-shell ou arranjos de redes de nanofios também devem ser explorados, para aplicações na fabricação de dispositivos que permitam acessar propriedades de transporte. Para isso, contaremos com a interação de vários grupos de pesquisa no IFGW/UNICAMP e LNLS.