Nanolitografia por Impressão para Estudo de FinFETs

• Processo: 09/05426-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2009
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2012
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: Mariana Pojar de Melo
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 08/05792-4 - Projeto, fabricação e caracterização de transistores FinFETs, AP.TEM
• Assunto(s): Nanoeletrônica Filmes finos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Filmes finos | FinFETs | Litografia por feixe de elétrons | nanoimpressão | Transistors | Uv-Nil | Nanoeletrônica

Resumo

Neste projeto de pesquisa pretende-se desenvolver processos de nanolitografia que utilizem a técnica de nanoimpressão para a construção de FinFETs. Os FinFETs têm sido apontados como sendo parte das novas gerações tecnológicas de transistores que permitirão que o comprimento de canal (distância entre os terminais fonte e dreno) de um transistor convencional passe de 90nm para a escala de 10nm na próxima década. Essa inovação tecnológica permitirá à indústira de semicondutores estender a lei de Moore pelo menos por mais 10 anos e produzir circuitos com mais de 1 bilhão de transistores integrados. A construção e posterior replicação de nanodispositivos requerem que técnicas acessíveis de alta resolução litográfica sejam desenvolvidas. A litografia por nanoimpressão é uma técnica muito recente (cerca de 10 anos) com resolução nanométrica e baixo custo que permite a fabricação de nanoestruturas para pesquisa em áreas tão diversas quanto nanoeletrônica, nanofluídica, biochips, nanoóptica, NEMS, dentre outras. A nanoimpressão baseia-se na transferência dos traçados de um nanomolde, ou nanocarimbo, para a superfície da amostra, empregando-se processos de estampagem. Este projeto visa desenvolver tanto o nanocarimbro, empregando-se técnicas de litografia por feixe de elétrons, como o processo de nanoestampagem para a construção do dispositivo requerido.