Producao de filmes hidrofobicos para protecao de superficie.

• Processo: 00/14361-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2001
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2001
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Maria Lúcia Pereira da Silva
• Beneficiário: Alexsander Tressino de Carvalho
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Tecnologia limpa Deposiçăo por plasma Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Deposicao Por Plasma | Organo-Silanos | Tecnologia Limpa

Resumo

O presente trabalho tem como objetivo o desenvolvimento de processo de deposição por plasma, em equipamento adequado a deposição em superfícies assimétricas, como é o caso de pós, por exemplo. O filme a ser depositado deverá ser hidrofóbico e resistente a corrosão por ácidos e bases. O substrato a ser utilizado para, o acerto de processo deverá ser o silício enquanto que a superfície a ser tratada deverá ser uma semente de uso comum. O reagente escolhido para tal estudo é um organo-silano de fácil obtenção e ambientalmente correto: o hexametildissilazana. A escolha de uma semente para teste de deposição permitirá verificar se o processo desenvolvido pode ser utilizado em substratos assimétricos e com variabilidade química. Ao final deste trabalho espera-se responder se a aderência a tais substratos é possível, abrindo-se, caso a resposta seja positiva, um amplo campo de atuação para a deposição por plasma e o uso de organo-silanos. Esse trabalho se insere nas linhas de cooperação entre o Departamento de Enga, Elétrica/EPUSP, o Depto de Enga. de Materiais/EPUSP - através da profa. Dra. Nicole R. Demarquette, e do INPE pela participação da Dra. Ing H. Tan. (AU)