Propriedades ópticas e estruturais de pontos quânticos tipo-ii de InP/GaAs

• Processo: 03/07815-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2004
• Data de Término da vigência: 09 de junho de 2005
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Fernando Iikawa
• Beneficiário: Marcelo Kiyoshi Kian Nakaema
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Fotoluminescência Pontos quânticos Fosfeto de índio Arsenieto de gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Fotoluminescencia | Inp/Gaas | Micro-Fotoluminescencia | Semicondutores

Resumo

Neste projeto, pretendemos investigar as propriedades ópticas e estruturais de pontos quânticos tipo-II de InP/GaAs crescidos por MOCVD e CBE. Estes conjuntos de amostras permitirão investigar através da técnica de fotoluminescência (micro- e macro-), no regime contínuo e resolvido no tempo, os efeitos da separação espacial, existente em estruturas tipo-II entre o elétron e o buraco fotocriados, nas propriedades ópticas destes pontos quânticos, que são pouco estudados em comparação com os pontos quânticos tipo-l. As propriedades estruturais, em especial a composição dos pontos quânticos e a distribuição da tensão, serão investigadas por difração de raio-X no LNLS; estas informações são essenciais para a modelagem teórica das propriedades ópticas destes pontos quânticos. (AU)