| Processo: | 00/01509-4 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de julho de 2000 |
| Data de Término da vigência: | 31 de dezembro de 2001 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Maria José Santos Pompeu Brasil |
| Beneficiário: | Saul Javier Luyo Alvarado |
| Instituição Sede: | Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Semicondutores Heteroestruturas |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Fotoluminescencia Ultra-Rapida | Heteroestrutura | Semicondutor | Tunulamento |
Resumo O objetivo deste projeto é investigar a dinâmica dos portadores em heteroestruturas de semicondutores, com ênfase no fenômeno de tunelamento. A dinâmica dos portadores será investigada através da técnica de fotoluminescência ultra-rápida resolvida no tempo utilizando um poço quântico como marcador ótico. Este trabalho será desenvolvido em estruturas de GaAs/InGaAs/InGaP crescidas por Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) num projeto de colaboração com o CPqD-ABTLuz. (AU) | |
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