Aplicacoes de espectroscopia de absorcao de raios-x ao estudo de de semicondutores nanoestruturados.

• Processo: 03/06080-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2003
• Data de Término da vigência: 20 de janeiro de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Aline Yvette Ramos
• Beneficiário: Gustavo de Medeiros Azevedo
• Instituição Sede: Associação Brasileira de Tecnologia de Luz Síncrotron (ABTLuS). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Espectroscopia por absorção de raios X
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Exafs | Nano-Estruturas Semicondutoras | Xanes

Resumo

Nanocristais de elementos do grupo IV encapsulados em sílica são sistemas de grande interesse por apresentarem fotoluminescência, cuja origem ainda não foi inequivocamente identificada. Na extensa literatura a respeito deste tema, foram propostos uma variedade de mecanismos para explicar a emissão de luz por estas nanopartículas. Entre eles, podemos citar a presença de defeitos na interface das partículas e o meio, confinamento quântico e a presença de fases estruturais diferentes da encontrada no material massivo. Visto que o arranjo geométrico dos átomos determina as propriedades ópticas e eletrônicas, uma descrição detalhada da estrutura do sistema no nível atômico e um bom entendimento de sua dependência com as condições de síntese são de grande importância. Com o intuito de entender melhor a origem da fotoluminescência em nanocristais de Si, Ge e Sn, utilizaremos uma variedade de técnicas experimentais baseadas em radiação síncrotron, a fim de determinar como as condições de síntese influenciam as distribuições de tamanho, a estrutura geométrica local e a estrutura eletrônica destas nanopartículas. A espectroscopia de absorção de raios-x (XAS) será a principal técnica experimental a ser utilizada na execução deste projeto, visto que permite investigar simultaneamente as estruturas geométrica e eletrônica de sistemas nanoestruturados. (AU)