Characterization of semiconductor epitaxial structures by x-ray multiple diffraction.

• Processo: 99/11480-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2000
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Lisandro Pavie Cardoso
• Beneficiário: Li Bin Bin
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Difração por raios X
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Difracao De Raios-X | Difracao Multipla De Raios-X | Estruturas Epitaxiais | Materiais Semicondutores | Nitretos Semicondutores | Ordenamento Atomico

Resumo

A difração múltipla de raios-X permite a observação tridimensional da rede de materiais monocristalinos, além de apresentar sensibilidade às pequenas deformações na rede, que induzem mudanças na simetria do diagrama obtido e, feixes difratados paralelos à superfície dos cristais, em condição de extrema assimetria. Além dessas vantagens, existe também, o caráter não destrutivo da técnica. Neste projeto, a difração múltipla de raios-X será aplicada ao estudo de ordenamento em camadas epitaxiais semicondutoras, na investigação de camadas epitaxiais finas e na caracterização de filmes finos de nitretos semi-condutores. (AU)