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Propriedades estruturais, eletronicas e termodinamicas de ligas ternarias formadas por nitretos do grupo-iii.

Processo: 00/12127-5
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de junho de 2001
Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2005
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
Beneficiário:Lara Kühl Teles
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Decomposicao Spinodal | Ligas De Nitretos | Metodo Pseudopotencial | Separacao De Fase

Resumo

Pretendemos aplicar a aproximação quasiquímica para a descrição estatística das ligas em combinação com o método "pseudopotential-plane-wave" para o cálculo da energia total para investigar as propriedades estruturais, eletrônicas e termodinâmicas das ligas derivadas dos nitretos do grupo-III. Estudaremos os seguintes sistemas: 1. Liga de InxGal-xN na estrutura "wurtzite". Células unitárias com 16 átomos por célula serão adotadas. Obteremos o diagrama de fase T-x para a liga tensionada e relaxada, o qual será utilizado para investigar o papel empregado pela separação de fase no processo de emissão de luz em LEDs and LDs operando na região do espectro verde-azul-UV. A influência das flutuações da composição e tensão no "bowing" do "gap" de energia da liga será investigada a fim de explicar os dados recentes obtidos para a liga "wurtzite" tensionada e relaxada. 2. Ligas cúbicas de AlxGa1-xN, BxGa1-xN and BxAI1-xN. Estudo do "gap" de energia como função da composição e da tensão. 3. Ligas cúbicas de AlxGa1-xN e InxGal-xN. Cálculos da massa efetiva do elétron como função da composição. Comportamento da densidade de estados e propriedades relacionadas como função da composição. (AU)

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