Resumo
Nos últimos anos o campo da spintrônica, surgiu como uma nova fronteira na Física de dispositivos para a tecnologia de circuitos integrados. As ligas semicondutoras magnéticas derivadas dos compostos III-V têm atraído enorme interesse devido à sua potencial aplicabilidade em dispositivos nesta área. Paralelamente ao estudo de novas tecnologias, como a spintrônica, tem-se realizado um estudo permanente para a melhoria da tecnologia atual. Ligas ternárias e quaternárias têm sido amplamente utilizadas, pois permitem variar o valor do gap de energia por uma vasta região do espectro, e são empregadas na fabricação de dispositivos semicondutores, tais como lasers, LEDs, etc. Neste projeto os professores Lara K. Teles e Marcelo Marques propõem o estudo teórico das propriedades estruturais, eletrônicas e termodinâmicas de ligas semicondutoras e ligas semicondutoras magnéticas que possuem principalmente aplicações em optoeletrônica e spintrônica. Para tal serão realizados cálculos de estrutura eletrônica autoconsistentes, dentro do formalismo da densidade local combinado com métodos de expansão em clusters em conjunto com simulações Monte Carlo, para a descrição estatística. Além dos objetivos específicos do projeto, temos o objetivo mais geral de nuclear uma nova linha de pesquisa no Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA), visto que o ITA não possui nenhum grupo de pesquisa em física de materiais semicondutores. (AU)
Publicações científicas
(19)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
VALADARES, FERNANDO;
GUILHON, IVAN;
TELES, LARA K.;
MARQUES, MARCELO.
Atomistic Origins of Enhanced Band Gap, Miscibility, and Oxidation Resistance in alpha-CsPb1-xSnxI3 Mixed Perovskite.
Journal of Physical Chemistry C,
v. 124,
n. 48,
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DEC 3 2020.
Citações Web of Science: 0.
PELA, R. R.;
CAETANO, C.;
MARQUES, M.;
FERREIRA, L. G.;
FURTHMUELLER, J.;
TELES, L. K.
Accurate band gaps of AlGaN, InGaN, and AlInN alloys calculations based on LDA-1/2 approach.
Applied Physics Letters,
v. 98,
n. 15
APR 11 2011.
Citações Web of Science: 80.