Estudo do desempenho de um transistor spintronico.

Resumo

Têm-se argumentado, justificadamente, que a última metade do século XX poderia ser denominada como a era da microeletrônica, sendo esta responsável pelas grandes transformações econômicas e sociais deste século. Durante o período dos anos 50, o mundo testemunhou uma revolução baseada na lógica digital, a qual foi resultado de uma das maiores descobertas do homem: o transistor. Circuitos integrados usados para processar dados utilizam a carga dos elétrons presentes nos semicondutores, enquanto os dados armazenados em mídia, como nos discos rígidos utilizam os spins de elétrons que estão num material magnético. Recentemente, os avanços da epitaxia de semicondutores de compostos III-V possibilitaram a polarização de spin em semicondutores, mostrando que novas funções podem ser implementadas pela injeção, transporte e controle destes estados de spin, o que resultaria em novos dispositivos, os quais apresentariam grandes vantagens sobre os atuais, como, por exemplo, o transistor de spin ou transistor spintrônico. Neste sentido nos últimos anos o campo da spin-eletrônica ou spintrônica, o qual explora o spin dos portadores de carga em semicondutores, surgiu como uma nova fronteira na Física e na Engenharia de dispositivos para a tecnologia de circuitos integrados do futuro. A linha de pesquisa a ser desenvolvida neste projeto visa um maior entendimento das propriedades e do funcionamento de um transistor spintrônico, em particular daremos ênfase ao estudo do estudo do seu desempenho. Para tal, serão aprofundados, utilizados e ampliados ou generalizados os conhecimentos adquiridos durante um curso normal de engenharia, como, por exemplo, o modelo de Ebers-Moll, para sua aplicação a um novo sistema como o transistor spintrônico.