Estudo teórico de materiais para aplicação em spintrônica

• Processo: 04/11822-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2005
• Data de Término da vigência: 08 de maio de 2006
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gennady Gusev
• Beneficiário: Marcelo Marques
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM
• Assunto(s): Semicondutores Spintrônica Métodos ab initio Heteroestruturas Método de Monte Carlo Materiais magnéticos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Calculo Ab Initio | Gamnn | Heteroestruturas | Ligas | Monte Carlo | Spintronica

Resumo

A habilidade de explorar o transporte de spin em semicondutores pode levar a novos dispositivos lógicos com melhores funcionalidade e velocidade, e também com reduzido consumo de energia, se comparados aos dispositivos da microeletrônica convencional. O desenvolvimento destes dispositivos com certeza iria revolucionar a industria de semicondutores. Novas descobertas recentes, como a obtenção dos Semicondutores Magnéticos Diluídos (SMD), deram um enorme impulso a esta nova tecnologia, que é denominada spintrônica. Junto com o domínio de processos como a injeção, a detecção e a manipulação de spin, um ponto chave para esta tecnologia é o desenvolvimento de materiais com as especificas propriedades exigidas. Neste projeto, propomos um estudo sistemático destes novos materiais e sistemas para aplicação em spintrônica. Apesar do grande número de trabalhos experimentais, muitos efeitos e propriedades nestes compostos ainda não são entendidos. Pretendemos com modelos rigorosos estudar os SMD, como o MnGaN, e também materiais binários magnéticos como o CrN, FeN, etc. Para estes últimos daremos ênfase ao estudo de efeitos de tensionamento, bem como sua utilização em super-redes semicondutoras magnéticas. (AU)