Metodos de extracao de parametros em dispositivos "soi mosfet".

• Processo: 00/14520-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2001
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2002
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Marcelo Antonio Pavanello
• Beneficiário: Artur Gasparetto Paiola
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Medidas elétricas Transistores MOSFET Sol
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Medidas Eletricas | Metodos De Caracterizacao | Mosfet | Sol

Resumo

Neste trabalho de iniciação científica deseja-se promover a caracterização elétrica de transistores do tipo MOS, desenvolvidos segundo a tecnologia Silício Sobre Isolante (Silicon-On-Insulator - SOI). Recentes trabalhos desenvolvidos tanto no Brasil como no exterior têm demonstrado que a caracterização elétrica destes transistores necessita de métodos e cuidados especiais, permitindo a adequada verificação dos parâmetros físicos dos transistores, sem a influência de interferências externas que possam mascarar os resultados encontrados. Serão efetuadas medidas do tipo corrente versus-tensão (IV) e capacitância versus tensão, utilizando os equipamentos HP4145B e HP4280, ambos disponíveis no LSI/EPUSP. (AU)