Estudo de defeitos extensos em semicondutores.

• Processo: 97/04472-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Joao Francisco Justo Filho
• Beneficiário: Joao Francisco Justo Filho
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/09933-8 - Estrutura eletrônica de líquidos moleculares: estudo de efeitos de solventes e fenômenos quânticos em biofísica molecular, AP.TEM
• Assunto(s): Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Defeitos Extensos | Deslocacoes Em Silicio | Potenciais Empiricos | Semicondutores

Resumo

Deslocações em materiais semicondutores tem sido extensivamente estudadas nos últimos anos devido a seu interesse tanto do ponto de vista teórico como tecnológico, especialmente na área de dispositivos eletrônicos. O maior problema enfrentado relaciona-se com o controle da formação e movimento de deslocações e suas interações com defeitos no cristal. Os principais mecanismos envolvidos nas interações de deslocações acontecem no caroço, à região próxima ao centro geométrico da deslocação. A esse nível, um estudo atomístico torna-se imprescindível. Nosso projeto terá por objetivo fazer um estudo teórico a nível atomístico das propriedades de deslocações em silício, enfocando as interações de deslocações com defeitos pontuais e impurezas em silício. Nosso objetivo é identificar os mecanismos relacionados com o movimento de deslocações e suas interações com defeitos pontuais, tanto defeitos intrínsecos como impurezas (oxigênio e hidrogênio). Para tal estudo, usaremos simulações atomísticas, principalmente dinâmica molecular e métodos de minimização de energia. Para a descrição das interações interatomicas usaremos tanto potenciais empíricos quanto métodos ab initio. (AU)