Estados eletronicos de filmes finos de carbeto de silicio e sulfeto de antimonio.

• Processo: 95/00053-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 1995
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 1996
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Joao Gil dos Santos
• Beneficiário: Joao Gil dos Santos
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Filmes finos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Alto Gap | Filmes Finos

Resumo

Filmes finos de carbeto de silício hidrogenado amorfo (a-SiC:H), de alto gap, depositados por "plasma enhanced chemical vapor deposition" (PECVD), serão crescidos e caracterizados por espectroscopia de fluorescência com resolução temporal de nanosegundos e outras técnicas experimentais complementares. Distintos processos de decaimento serão investigados e a interpretação envolverá uma análise de mecanismos específicos associados à memória de polarização e pares de pequenos polarons. Adicionalmente, serão preparados e caracterizados filmes finos semicondutores amorfos de sulfeto de antimônio para o levantamento e análise do decaimento fotoluminescente e posterior comparação com os resultados dos materiais de alto gap. (AU)