Propriedades optoelectronicas da liga carbono-nitrogenio amorfa (a-cnx) depositada por feixe ionico.

• Processo: 97/02784-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 1997
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 1998
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Peter Hammer
• Beneficiário: Peter Hammer
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores amorfos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Feixe Ionico | Propriedades Optoelectronicas | Semicondutores Amorfos

Resumo

O objetivo especifico do plano se orienta a estudar a relação entre as propriedades ópticas e de transporte dos sistemas amorfos (CNX:H) e sua relação com os parâmetros característicos das células de Kaufman, e geometria da câmara de deposição, visando determinar velocidades de deposição, crescimento preferencial, e influência da energia dos íons nas propriedades optoeletrônicas e mecânicas dos materiais. No relacionado às propriedades mecânicas, estudaremos os parâmetros elásticos (dureza e módulo de Young) em função da energia e momento transferidos por átomo do elemento depositado. As caracterizações ópticas serão estudadas usando nossas facilidades experimentais. A estrutura, composição, e evolução da parte superior da banda de valência serão estudadas in situ por PES (espectroscopia de elétrons foto-emitidos, i.e. X-ray photoemission spectroscopy (XPS), e ultra-violet photoemission spectroscopy (UPS)). (AU)