Estudo de micro e nanoestruturas baseadas em semicondutores crescidos por epitaxia por feixe quimico.

• Processo: 97/09642-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de março de 1998
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Cesar Augusto Curvello de Mendonca
• Beneficiário: Cesar Augusto Curvello de Mendonca
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Auto-Formacao | Baixa-Dimensionlidade | Semicondutores

Resumo

O projeto visa o estudo de estruturas de dimensionalidade menor que dois em sistemas tensionados obtidos por Epitaxia por Feixe Químico. Nos sistemas em que existe uma grande diferença entre o parâmetro de rede do filme depositado e da camada que o antecede, ocorre a auto-formação de estruturas de dimensões quânticas em duas (fios quânticos) ou três direções (pontos quânticos). Sua obtenção depende fortemente do controle dos processos de deposição e distribuição de filmes depositados por epitaxia sobre a superfície. A investigação deste processo tem sido viabilizada por técnicas de análise de superfícies e interfaces. (AU)