Pontos quanticos auto-organizados de inas e ingaas embutidos nas proximidades de um gas de eletrons bidimensional: propriedades opticas e de transporte.

• Processo: 98/03979-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 1998
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2000
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Evaldo Ribeiro
• Beneficiário: Evaldo Ribeiro
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Poços quânticos Heteroestruturas Propriedades ópticas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Heteroestruturas | Pocos Quanticos | Propriedades Opticas | Quantum Wells | Semicondutores

Resumo

Pretendemos investigar as propriedades de transporte de um gás de elétrons bidimensional com pontos quânticos auto-organizados de InAs ou InGaAs embutidos nas proximidades do gás. Estudaremos os efeitos dos pontos quânticos e de sua densidade na mobilidade do gás na transição líquido Hall → isolante e na localização fraca da magneto-resistividade. Investigaremos também o transporte por "hopping" através dos pontos quânticos e a extinção do gás reduzindo a densidade de portadores do gás. Finalmente, em paralelo, estudaremos as propriedades óticas deste sistema que nunca foram investigadas anteriormente. (AU)