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Pontos quanticos auto-organizados de inas e ingaas embutidos nas proximidades de um gas de eletrons bidimensional: propriedades opticas e de transporte.

Processo: 98/03979-6
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de julho de 1998
Data de Término da vigência: 30 de junho de 2000
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Evaldo Ribeiro
Beneficiário:Evaldo Ribeiro
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores   Poços quânticos   Heteroestruturas   Propriedades ópticas
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Heteroestruturas | Pocos Quanticos | Propriedades Opticas | Quantum Wells | Semicondutores

Resumo

Pretendemos investigar as propriedades de transporte de um gás de elétrons bidimensional com pontos quânticos auto-organizados de InAs ou InGaAs embutidos nas proximidades do gás. Estudaremos os efeitos dos pontos quânticos e de sua densidade na mobilidade do gás na transição líquido Hall → isolante e na localização fraca da magneto-resistividade. Investigaremos também o transporte por "hopping" através dos pontos quânticos e a extinção do gás reduzindo a densidade de portadores do gás. Finalmente, em paralelo, estudaremos as propriedades óticas deste sistema que nunca foram investigadas anteriormente. (AU)

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