Estudo de semicondutores amorfos.

• Processo: 97/14432-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 1998
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Marcelo Mulato
• Beneficiário: Marcelo Mulato
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Cristalização Caracterização Semicondutores amorfos Filmes finos Germânio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao | Crescimrnto | Cristalizacao | Filmes Finos | Germanio | Semicondutores Amorfos

Resumo

Pretendemos estudar as variações estruturais do germânio amorfo (intrínseco e hidrogenado) com o objetivo de solucionar os problemas de sua estrutura porosa que impossibilita atualmente a confecção de dispositivos. Amostras micro-cristalinas - cristalizadas com laser pulsado também serão estudadas. Espera-se atingir o objetivo de desenvolver um dispositivo baseado em filmes finos de germânio. (AU)