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Estudo de semicondutores amorfos.

Processo: 97/14432-5
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de junho de 1998
Data de Término da vigência: 31 de agosto de 1998
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Marcelo Mulato
Beneficiário:Marcelo Mulato
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Cristalização   Caracterização   Semicondutores amorfos   Filmes finos   Germânio
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Caracterizacao | Crescimrnto | Cristalizacao | Filmes Finos | Germanio | Semicondutores Amorfos

Resumo

Pretendemos estudar as variações estruturais do germânio amorfo (intrínseco e hidrogenado) com o objetivo de solucionar os problemas de sua estrutura porosa que impossibilita atualmente a confecção de dispositivos. Amostras micro-cristalinas - cristalizadas com laser pulsado também serão estudadas. Espera-se atingir o objetivo de desenvolver um dispositivo baseado em filmes finos de germânio. (AU)

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