Fabricacao de filmes tensionados de inxga1xas/gaas crescidos por mbe para aplicacao opto eletronica.

• Processo: 92/03380-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 1993
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 1993
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Artemis Marti Ceschin
• Beneficiário: Artemis Marti Ceschin
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dispositivos Opto Eletronicos | Mbe,Inxga1Xas/Gaas | Tensionados

Resumo

Crescimento por MDC de filmes tensionados de Inx Ga, AS sobre substratos de GaAS (100) perfeitamente orientados e desorientados de alguns graus na direção [TIO]. Os filmes serão caracterizados por fotoluminescência e medida hall. Esses filmes serão utilizados para a fabricação de dispositivos e circuitos eletrônicos (FET, MOD FET, DIODOS, etc.). Com a colaboração dos laboratórios de microeletrônica (LME) e de sistemas integráveis (LSI) ambos da engenharia elétrica da Escola Politécnica da USP. (AU)