| Processo: | 97/14290-6 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Exterior - Pesquisa |
| Data de Início da vigência: | 01 de agosto de 1998 |
| Data de Término da vigência: | 31 de julho de 2000 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Maurice de Koning |
| Beneficiário: | Maurice de Koning |
| Pesquisador Anfitrião: | Sidney Yip |
| Instituição Sede: | Pessoa Física |
| Instituição Anfitriã: | Massachusetts Institute of Technology (MIT), Estados Unidos |
| Assunto(s): | Simulação de dinâmica molecular Estrutura eletrônica Silício Métodos ab initio |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Defeitos Pontuais | Deslocacoes | Dinamica Molecular | Estrutura Eletornica | Silicio | Simulacao Ab Initio |
Resumo O objetivo deste projeto é a realização de um estudo teórico de processos físicos envolvendo deslocações no silício. A metodologia usada será baseada nas técnicas de dinâmica molecular clássica e em simulações de primeiros princípios. As simulações clássicas serão utilizadas para gerar estruturas relaxadas e investigar efeitos ligados a temperaturas e pressões finitas. Os cálculos de primeiros princípios serão utilizados para o estudo da estrutura eletrônica destas estruturas. Estudaremos a mobilidade das deslocações nos planos {111}, a estrutura configuracional e eletrônica das deslocações nos planos {111} "shuffle" e a interação com defeitos pontuais tais como vacâncias e interstícios. (AU) | |
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