| Processo: | 98/15271-8 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Exterior - Pesquisa |
| Data de Início da vigência: | 03 de junho de 1999 |
| Data de Término da vigência: | 02 de junho de 2001 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Alexandre Pimenta Lima |
| Beneficiário: | Alexandre Pimenta Lima |
| Pesquisador Anfitrião: | Martin Stutzmann |
| Instituição Sede: | Pessoa Física |
| Instituição Anfitriã: | Technical University of Munich (TUM), Alemanha |
| Assunto(s): | Semicondutores Nitretos |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Crescimento De Semicondutores | Dispositivos Semicondutores | Gan | Molecular Beam Epitaxy | Nitretos | Wide Band Gap |
Resumo Crescimento de ligas de AllnN com constantes de rede próximas às do GaN para a realização de hetero-estruturas não tensionadas. Caracterização das propriedades ópticas, eletrônicas, e estruturais com o objetivo de otimização das condições de crescimento por MBE e/ou MOC VD. Camadas de AllnN com casamento de rede otimizado serão então depositadas em substratos de GaN a fim de se produzir gases de elétrons ou buracos bidimensionais. Isto irá provavelmente exigir a dopagem de AllnN, dependendo do alinhamento de banda ainda a ser determinado. Entre os dispositivos de interesse para aplicação destes materiais estão os hetero-fieldeffect-transistors. (AU) | |
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