Lattice-matched AlInN/GaN heterostructures: growth, characterization and devices

• Processo: 98/15271-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 03 de junho de 1999
• Data de Término da vigência: 02 de junho de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Alexandre Pimenta Lima
• Beneficiário: Alexandre Pimenta Lima
• Pesquisador Anfitrião: Martin Stutzmann
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Instituição Anfitriã: Technical University of Munich (TUM), Alemanha
• Assunto(s): Semicondutores Nitretos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento De Semicondutores | Dispositivos Semicondutores | Gan | Molecular Beam Epitaxy | Nitretos | Wide Band Gap

Resumo

Crescimento de ligas de AllnN com constantes de rede próximas às do GaN para a realização de hetero-estruturas não tensionadas. Caracterização das propriedades ópticas, eletrônicas, e estruturais com o objetivo de otimização das condições de crescimento por MBE e/ou MOC VD. Camadas de AllnN com casamento de rede otimizado serão então depositadas em substratos de GaN a fim de se produzir gases de elétrons ou buracos bidimensionais. Isto irá provavelmente exigir a dopagem de AllnN, dependendo do alinhamento de banda ainda a ser determinado. Entre os dispositivos de interesse para aplicação destes materiais estão os hetero-fieldeffect-transistors. (AU)