Estruturas superficiais em silício poroso

• Processo: 92/04561-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 26 de dezembro de 1992
• Data de Término da vigência: 25 de fevereiro de 1993
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Marilia Junqueira Caldas
• Beneficiário: Marilia Junqueira Caldas
• Pesquisador Anfitrião: Elisa Molinari
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Modena (UNIMORE), Itália
• Assunto(s): Fotoluminescência Oxidação
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Estruturas Nanoscopicas | Fonons De Superficie | Fotoluminescencia | Oxidacao | Silicio Poroso | Superficies Passivadas

Resumo

O material obtido por anodização eletroquímica de Si em HF, conhecido como Si poroso, desperta atenção por suas propriedades óticas de emissão eficiente, no visível. Essa emissão, provavelmente devida a confinamento quântico, é extremamente dependente do estado da superfície. Pretendemos investigar a influência da agregação de oxigênio e/ou hidrogênio a superfícies de Si em estruturas nanoscópicas, principalmente visando esclarecer os dados de ressonância Raman e infra-vermelho, e sua relação com a fotoluminescência. (AU)