| Processo: | 00/11554-7 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Exterior - Pesquisa |
| Data de Início da vigência: | 01 de fevereiro de 2001 |
| Data de Término da vigência: | 13 de fevereiro de 2001 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Sérgio Luiz Morelhão |
| Beneficiário: | Sérgio Luiz Morelhão |
| Pesquisador Anfitrião: | Jurgen Hartwig |
| Instituição Sede: | Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Instituição Anfitriã: | European Synchrotron Radiation Facility (ESRF), França |
| Assunto(s): | Radiação síncrotron Semicondutores Topografia |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Heteroestruturas | Radiacao Sincrotron | Reflexoes Hibridas | Semicondutores | Topografia |
Resumo Neste experimento será feito, pela primeira vez, o estudo de reflexões hibridas coerentes em amostras de InGaP/GaAs [001] através de topografias com radiação síncrotron. Ainda, serão analisadas, caso haja tempo hábil, os materiais: SiC monocristalino e mNA (meta-Nitroanilina). As medidas serão realizadas na estação ID19 do ESRF, por ser esta a melhor existente no mundo para a realização de topografias. O objetivo deste trabalho é estudar a interface substrato/camada, através de reflexões múltiplas que ocorrem uma na rede do substrato e outra na rede da camada [App. Phys. Lett. 73, 2194 (1998)], para caracterizar propriedades tais como a propagação de defeitos a partir do substrato para a camada, distorções da rede em torno de interfaces, perfeição cristalina da superfície e visualização steps monoatômicos (degraus). (AU) | |
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