Estudo de semicondutores amorfos através de método ab initio com bases localizadas: o programa siesta

• Processo: 99/10187-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 15 de janeiro de 2000
• Data de Término da vigência: 15 de fevereiro de 2000
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Alex Antonelli
• Beneficiário: Alex Antonelli
• Pesquisador Anfitrião: Efthimios Kaxiras
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Harvard University, Cambridge, Estados Unidos
• Assunto(s): Materiais amorfos Dopagem eletrônica Semicondutores Estrutura eletrônica Simulação de dinâmica molecular Métodos ab initio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Ab Initio | Bases Localizadas | Dinamica Molecular | Dopagem | Estrutura Eletronica | Semicondutores Amorfos

Resumo

Este projeto de pesquisa tem por objetivo a realização de uma visita de um mês, de 15 de janeiro a 15 de fevereiro de 2000, ao grupo do Prof. E. Kaxiras da Harvard University para iniciar uma colaboração conjunta com o Prof. J. M. Soler da Universidad Autônoma de Madrid, que se encontra atualmente em visita sabática ao grupo do Prof. E. Kaxiras, na área de física de semicondutores amorfos utilizando uma nova metodologia ab initio que utiliza bases localizadas que permite cálculos realísticos desses sistemas físicos, através do chamado programa SIESTA. (AU)