Influência dos defeitos cristalinos e dos domínios ferroelétricos nas propriedades de filmes finos para aplicação em memórias

• Processo: 04/13784-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 21 de abril de 2005
• Data de Término da vigência: 20 de julho de 2005
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química
• Pesquisador responsável: Alexandre Zirpoli Simões
• Beneficiário: Alexandre Zirpoli Simões
• Pesquisador Anfitrião: Ramamoorthy Ramesh
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Instituição Anfitriã: University of California, Berkeley (UC Berkeley), Estados Unidos
• Assunto(s): Filmes finos Materiais ferroelétricos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Ferroeletricos | Filmes Finos

Resumo

O desenvolvimento de circuitos integrados, que consumam menos energia, tem atraído grande interesse em indústrias eletrônicas, automobilísticas e aeroespaciais. Entre os inúmeros materiais ferroelétricos, o Bi4Ti3O12 puro e dopado com lantânio que possui estrutura ortorrômbica do tipo perovskita, tem potencialidade para estas aplicações. Porém, a disposição dos domínios ferroelétricos e os defeitos gerados durante a obtenção da fase cristalina do tipo vacâncias de oxigênio, dipolos complexos e cargas espaciais interferem na eficiência da memória ferroelétrica. Portanto, neste estágio propõe-se estudar com o emprego do microscópio de força atômica como estes parâmetros (defeitos e disposição dos domínios) afetam as características ferroelétricas desenvolvidas por estes filmes. (AU)