Crescimento epitaxial por feixe molecular de estruturas para a fabricação de lasers semicondutores de compostos IV-VI

• Processo: 00/02415-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 03 de agosto de 2000
• Data de Término da vigência: 02 de agosto de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Paulo Henrique de Oliveira Rappl
• Beneficiário: Paulo Henrique de Oliveira Rappl
• Pesquisador Anfitrião: Patrick John McCann
• Instituição Sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: University of Oklahoma (OU), Estados Unidos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Diodo-Lasers Iv-Vi | Dispositivo Infravermelho

Resumo

Resultados recentes demonstram que um procedimento inovador desenvolvido na Universidade de Oklahoma em Norman, nos Estados Unidos, para a fabricação de lasers semicondutores IV-VI proporciona melhora expressiva na dissipação de calor gerado na região ativa, possibilitando sua operação em regime continuo na temperatura ambiente. As heteroestruturas semicondutoras que compõem esses dispositivos são crescidas por epitaxia de feixe molecular, empregando infra-estrutura semelhante àquela existente no LAS/INPE. O presente projeto visa à realização de pós-doutoramento junto ao grupo de Oklahoma, para absorver e contribuir ao aprimoramento do processo lá em desenvolvimento, tendo em vista sua posterior aplicação à fabricação de diodo-lasers de ligas ternárias IV-VI no INPE. (AU)