Ligas semicondutoras amorfas de silício e germânio

• Processo: 95/01218-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 1995
• Data de Término da vigência: 29 de fevereiro de 1996
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: IVAN EMILIO CHAMBOULEYRON
• Beneficiário: IVAN EMILIO CHAMBOULEYRON
• Pesquisador Anfitrião: Sigurd Wagner
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Princeton University, Estados Unidos

Resumo

Durante meu estágio em Princeton pretendo trabalhar principalmente nos aspectos de otimização da qualidade eletrônica das ligas amorfas de Si e Ge com vistas à fabricação de dispositivos fotovoltaicos. As pesquisas incluem a preparação dos materiais pelo método de descarga luminescente a partir de misturas gasosas de silana e germana variando os parâmetros que determinam a qualidade dos filmes; por exemplo: pressão parcial na câmara, fluxo dos gases da reação, influência da diluição no hidrogênio e/ou hélio, efeitos de bombardeamento iônico durante a deposição, temperatura de substrato, etc., etc. A caracterização optoeletrônica dos materiais inclui necessariamente o estudo das propriedades estruturais dos filmes em termos de densidade e porosidade, as propriedades de transporte eletrônico (mobilidade e tempo de vida dos dois tipos de portador), a fotocondutividade e os mecanismos de recombinação e, finalmente, as propriedades ópticas dos filmes, uma vez que as ligas semicondutoras amorfas permitem o ajuste da borda de absorção a partir do ajuste das concentrações relativas dos elementos que formam a liga. (AU)