Spin-polarized transport in magnetic III-V semiconductor devices

• Processo: 99/09310-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 07 de fevereiro de 2000
• Data de Término da vigência: 06 de fevereiro de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Giovani Zanelatto
• Beneficiário: Giovani Zanelatto
• Pesquisador Anfitrião: Elizabeth Gwinn
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Instituição Anfitriã: University of California, Santa Barbara (UC Santa Barbara), Estados Unidos
• Assunto(s): Semicondutores magnéticos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Heteroestrutura Semicondutora | Semicondutores Iii-V | Semicondutores Magneticos | Sistemas De Baixa Dimensao | Transporte Spin-Polarizado

Resumo

O recente desenvolvimento de semicondutores magnéticos do grupo III-V abriu a oportunidade de integrar nestes o transporte de spin em não equilíbrio controlado eletronicamente. Podemos antever estruturas de tunelamento ressonante spin-polarizadas e dispositivos ferromagnéticos controlados por gate. A exploração destas possibilidades promete revelar muita física interessante, em direção a dispositivos úteis. A demonstração do transporte spin-polarizado um semicondutor ferromagnético é o fator crucial para um semicondutor "spintronic". O objetivo deste projeto é utilizar protótipos de Ga(1-x)Mg(x)As/Al(1-x)Ga(x)As para testar a viabilidade do transporte spin-polarizado destes sistemas. (AU)