Estudo das propriedades estruturais de semicondutores amorfos por EPR e NMR

• Processo: 98/04214-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 25 de julho de 1998
• Data de Término da vigência: 24 de outubro de 1999
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Francisco das Chagas Marques
• Beneficiário: Francisco das Chagas Marques
• Pesquisador Anfitrião: P. Graig Taylor
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: University of Utah (U), Estados Unidos
• Assunto(s): Ligações de hidrogênio Dopagem eletrônica Filmes finos Semicondutores Materiais amorfos Silício Ressonância paramagnética
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dopagem | Epr | Ligacoes De Hidrogenio | Nmr | Semicondutores Amorfos | Silicio Amorfo

Resumo

Estudo de propriedades estruturais de filmes finos de semicondutores amorfos (a-Si:H e a-Ge:H) utilizando técnicas de ressonância paramagnética do elétron, EPR, e ressonância magnética nuclear, NMR. A técnica EPR será utilizado para o estudo da dependência da densidade de ligações pendentes neutras em filmes de a-Si:H dopados. Este parâmetro será de fundamental importância para uma avaliação da qualidade de filmes semicondutores amorfos e para a investigação dos mecanismos de dopagem dos filmes. O estudo com NMR será utilizado para investigar os sítios de hidrogênio, principalmente hidrogênio molecular (H2) armadilha dos intersticialmente ou em microvoids nos filmes de a-Si:H e a-Ge:H. (AU)